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加州大学研发新型高通道数硅上量子点激光器数据传输速率高达4.1Tbps

加州大学研发新型高通道数硅上量子点激光器数据传输速率高达4.1Tbps

本文摘要:据外媒报导,加州大学(UCSB)的一个研究小组早已顺利创立了一个低地下通道数20GHz无源锁模量子点激光器,也是该小组首次在硅衬底上必要生长的这种新型激光器。研究人员回应,该微米级激光器具备4.1Tbit/s的数据传输容量,比目前最佳数据传输商业标准早已提早了整整十年(目前以太网的速度为400Gbit/s)。 该技术是通过行之有效的波分适配(WDM)技术研发的最高效技术。“我们期望在一个廉价的光源中产生更好的相干性波长。

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据外媒报导,加州大学(UCSB)的一个研究小组早已顺利创立了一个低地下通道数20GHz无源锁模量子点激光器,也是该小组首次在硅衬底上必要生长的这种新型激光器。研究人员回应,该微米级激光器具备4.1Tbit/s的数据传输容量,比目前最佳数据传输商业标准早已提早了整整十年(目前以太网的速度为400Gbit/s)。

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该技术是通过行之有效的波分适配(WDM)技术研发的最高效技术。“我们期望在一个廉价的光源中产生更好的相干性波长。

”SongtaoLiu(其中一位研究人员)回应,“量子点能获取长增益序,这也是我们能构建低地下通道数的原因。”激光器实施了锁模以避免激光腔中的波长竞争产生噪声,同时还能平稳数据传输过程。这种锁模能构成具备6.1nm3dB光学比特率的频率巴利。

该激光器或将沦为硅电子和光子集成电路(EPICS)的一部分。虽然硅是光质量的较好材料,它可以引领和留存并且很更容易以低成本构建大量生产,但是却不过于合适产生光。Liu回应:“如果想有效地的产生光,则必须一个必要带上隙半导体。

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而硅则是一种非必要带上隙半导体。”在UCSB的纳米加工工厂中逐一分子在硅上生长的量子点激光器是一种利用了几种半导体材料的电子特性来提升性能和功能(还包括它们的必要带上隙)以及硅本身较好状态的结构。

自从JohnBowers和他的UCSB小组在10年前牵头英特尔展示了全球首个混合硅激光器以来,硅光子世界大大建构出有更高效率、更加高性能的技术,同时还保持了尽量小的占地面积,以便构建大规模生产。Bowers和Liu回应,他们研发的硅上量子点激光器是目前最先进设备的技术,可为未来的设备获取卓越的性能。


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