利用光降低热噪声，减小MEMS传感器的误差

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利用光降低热噪声，减小MEMS传感器的误差

本文摘要：NTT研发出有了利用GaAs的特性、很大提升使用MEMS振子的传感器精度的技术，并在2016年NTT研发论坛（2016年2月18～19日，日本东京都武藏野市NTT武藏野研发中心）上展开了展示。此次的技术不利于提升检测若无分子水平微小物质及微小物质不存在量的传感器精度。传感器用于利用MEMS技术构成的微小振子。振子表面印有只导电特定物质的膜，随着物质导电，振子重量减少时，振子的固有频率不会发生变化，传感器利用这一点展开检测。

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NTT研发出有了利用GaAs的特性、很大提升使用MEMS振子的传感器精度的技术，并在2016年NTT研发论坛（2016年2月18～19日，日本东京都武藏野市NTT武藏野研发中心）上展开了展示。　　此次的技术不利于提升检测若无分子水平微小物质及微小物质不存在量的传感器精度。传感器用于利用MEMS技术构成的微小振子。

振子表面印有只导电特定物质的膜，随着物质导电，振子重量减少时，振子的固有频率不会发生变化，传感器利用这一点展开检测。如果不出绝对零度下用于，振子的材料等所具备的热噪声不会对振动产生影响，从而影响传感器的精度。　　NTT采行了在MEMS振子上用于GaAs来避免热噪声的作法。GaAs具备光电切换特性，太阳光特定波长以下的光时，材料内会产生载流子（电子、空穴）。

另一方面，还具备压电特性，读取电场时，不会再次发生机械变形。　　NTT融合了这两种特性。也就是说，构成了利用光太阳光产生的载流子读取电场使其再次发生机械变形的循环。明确就是，向MEMS振子根部太阳光激光，产生了诱导热噪声的变形。

　　此次的技术除用作MEMS振子型传感器以外，还可以作为掌控MEMS大于机械运动的方法，以及在导通芯片上构建光-热-机械-电子同步电路的方法用于。今后将从现在的基础研究阶段，一旁探寻应用于，一旁实用化。

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